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厂商型号

2SC3649S-TD-E 

产品描述

Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 4-Pin(3+Tab) PCP T/R

内部编号

277-2SC3649S-TD-E

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:3167
1+¥5.0599
10+¥4.2189
100+¥2.7214
1000+¥2.1744
2000+¥1.8393
5000+¥1.771
10000+¥1.7641
25000+¥1.6616
50000+¥1.6274
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:955
1+¥5.28
10+¥4.66
100+¥3.58
500+¥2.83
最小起订量:1
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:448
1+¥5.6579
10+¥4.9593
100+¥3.8012
500+¥3.0051
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2SC3649S-TD-E产品详细规格

规格书 2SC3649S-TD-E datasheet 规格书
2SC3649S-TD-E datasheet 规格书
2SA1419/2SC3649
2SC3649S-TD-E datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 1.5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 160V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 450mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 100mA, 5V
功率 - 最大 500mW
频率转换 120MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-243AA
供应商器件封装 PCP
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4PCP
类型 NPN
引脚数 4
最大集电极发射极电压 160 V
集电极最大直流电流 1.5 A
最小直流电流增益 140@100mA@5V
最大工作频率 120(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.45@50mA@500mA V
最大集电极基极电压 180 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 500 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 1.5
最低工作温度 -55
Maximum Transition Frequency 120(Typ)
包装宽度 2.5
PCB 3
最大功率耗散 500
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 180
最大集电极发射极电压 160
供应商封装形式 PCP
最高工作温度 150
包装长度 4.5
包装高度 1.5
最大基地发射极电压 6
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Flat
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1.5A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 120MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 450mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 160V
供应商设备封装 PCP
功率 - 最大 500mW
封装/外壳 TO-243AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 100mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
RoHS RoHS Compliant
增益带宽产品fT 120 MHz
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
系列 2SC3649
品牌 ON Semiconductor
集电极 - 发射极饱和电压 130 mV
集电极 - 发射极最大电压VCEO 160 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 180 V
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 1.5 W
配置 Single
最高工作温度 + 150 C

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